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簡要描述:快速退火爐系統(tǒng)SSI是一個簡單穩(wěn)定的熱處理系統(tǒng),適合于廣泛大尺寸為直徑2~8英寸的基片材料和結(jié)構(gòu)的快速熱低溫退火(RTA),(如電子級硅、鋼鐵、玻璃、單晶硅、III-V族化合物、II-VI族化合物、鍺、超導(dǎo)體、陶瓷等等)。
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美國RTP系列的快速退火爐溫度均勻度≤1%,處理的大尺寸可以達到200mm,溫度可以達到1200攝氏度,處理過程可以在真空環(huán)境或者惰性氣體的環(huán)境中執(zhí)行,做多可支持4~6路進氣,可以用到的氣體包含N2,O2,N2H2,Ar和H2。
- 處理時間:0.1秒至無*;
- 燈管數(shù)量及功率:13支,
- 腔體冷卻:風(fēng)冷方式;
- 襯底冷卻:氮氣吹掃;
- 工藝氣路:MFC控制,多6路 (氮氣、氬氣、氧氣、氫氮混合氣等);
應(yīng)用領(lǐng)域:
快速熱退火 (Rapid Thermal Annealing,RTA);
快速熱氧化 (Rapid Thermal Oxidation,RTO);
快速熱氮化 (Rapid Thermal Nitridation,RTN);
硅化 (Silicidation);
擴散 (Diffusion);
化合物半導(dǎo)體退火 (Compound Semiconductor Annealing);
離子注入后退火 (Implant Annealing);
電極合金化 (Contact Alloying);
晶向化和堅化 (Crystallization and Densification);
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