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光譜橢偏儀 DUV-VIS-NIR

簡要描述:光譜橢偏儀可配置從DUV到NIR的波長范圍。DUV范圍可用于測量超薄膜,如納米厚度范圍。比如硅晶片上的原生氧化物,其通常僅為約1至2nm厚。當用戶需要測量許多材料的帶隙時,深紫外光譜橢偏儀也是*的??梢娀蚪t外范圍用于測量相對厚或非常厚的涂層。

  • 產品型號:SE200/SE300/SE350/SE500
  • 廠商性質:代理商
  • 更新時間:2024-05-17
  • 訪  問  量:1176

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詳細介紹

光譜橢偏儀可配置從DUVNIR的波長范圍。DUV范圍可用于測量超薄膜,如納米厚度范圍。比如硅晶片上的原生氧化物,其通常僅為約12nm厚。當用戶需要測量許多材料的帶隙時,深紫外光譜橢偏儀也是*的。可見或近紅外范圍用于測量相對厚或非常厚的涂層。當然,如果必須確定光學常數(shù),則應將工具的波長范圍配置為該范圍。其他配置,如波長分辨率,角度范圍等,將根據(jù)所需的應用進行考慮。

 

光譜橢偏儀特征:

•基于Window軟件,易于操作;

•*光學設計,實現(xiàn)系統(tǒng)性能;

•高功率DUV-VIS-NIR光源,適用于寬帶應用;

•基于陣列的探測器系統(tǒng),確??焖贉y量;

•用戶可以根據(jù)需要定義任意數(shù)量的圖層;

•能夠用于實時或在線厚度,折射率監(jiān)測;

•系統(tǒng)配有全面的光學常數(shù)數(shù)據(jù)庫;

•高級TFProbe 3.3.X軟件允許用戶對每個膠片使用NK表,色散或有效介質近似(EMA);

•三種不同的用戶級別控制:工程師模式,系統(tǒng)服務模式和簡易用戶模式;

•靈活的工程模式,適用于各種配方設置和光學模型測試;

•強大的一鍵式按鈕解決方案,用于快速和常規(guī)測量;

•可按照用戶偏好配置測量參數(shù),操作簡便;

•系統(tǒng)全自動校準和初始化;

•直接從樣品信號獲得精確的樣品對齊接口,無需外部光學元件;

•精確的高度和傾斜程度調整;

•適用于許多不同類型的不同厚度的基材;

•各種選項,附件可用于特殊配置,如繪圖階段,波長擴展,焦點等;

2D3D輸出圖形以及用戶數(shù)據(jù)管理界面;

 

光譜橢偏儀應用:

•半導體制造(PR,氧化物,氮化物......

•液晶顯示器(ITO,PR,Cell gap ......

•法醫(yī)學,生物學材料

•油墨,礦物學,顏料,調色劑

•制藥,醫(yī)療器械

•光學涂層,TiO2,SiO2,Ta2O5 ......

•半導體化合物

MEMS / MOEMS中的功能薄膜

•無定形,納米和硅晶圓

•太陽能電池薄膜,CdTeCdS,CIGS,AZO,CZTS ....

光譜橢偏儀技術參數(shù):

            型號 SE200 (DUV-Vis)  SE300 (Vis)  SE450 (Vis-Nir) SE500 (DUV-Vis-Nir)
探測器類型CCDCMOS陣列CCDCMOS陣列CCDCMOSInGaAs陣列CCDCMOSInGaAs陣列
波長范圍(nm19011003701100370-1700190-1700
波長點測量波長范圍和波長數(shù)據(jù)點均在用戶配方中自定義(數(shù)據(jù)點僅受分辨率限制)
波長分辨率0.01 -3nm0.01 -3nm0.013nm0.013nm
數(shù)據(jù)采集??時間100毫秒到10秒,用戶自定義
入射角范圍2090

 

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