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簡要描述:PlasmaSTAR®系列等離子處理系統(tǒng)適合處理所有的材料。 PlasmaSTAR®系統(tǒng)擁有多種腔室和電極配置,可滿足不同的等離子工藝和基片尺寸。
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等離子處理系統(tǒng)
PlasmaSTAR® 100/200
PlasmaSTAR®系列等離子處理系統(tǒng)適合處理所有的材料。 PlasmaSTAR®系統(tǒng)擁有多種腔室和電極配置,可滿足不同的等離子工藝和基片尺寸。其中較典型的等離子處理工藝包括:
? 等離子預(yù)處理
? 光刻膠去膠
? 表面處理
? 各向異性和各向同性蝕刻
? 故障分析應(yīng)用
? 材料改性
? 封裝清洗
? 鈍化層刻蝕
? 聚酰胺刻蝕
? 促進粘合
? 生物醫(yī)學應(yīng)用
? 聚合反應(yīng)
? 混合清洗
? 預(yù)鍵合清洗
PlasmaSTAR®系列等離子處理系統(tǒng)設(shè)計*且多樣化。其功能包括用于操作臺面上,占地面積小,或?qū)恿靼惭b,以及用于各種等離子工藝的模塊化腔室和電極配置。此外,觸摸屏計算機控制,多級程序控制和組件控制,操作簡單。
PlasmaSTAR®系列等離子處理系統(tǒng)用于研究、工藝開發(fā)和批量生產(chǎn)。 PlasmaSTAR®系統(tǒng)可輕松集成到自動化生產(chǎn)線和系統(tǒng)中。
該系統(tǒng)基于模塊化設(shè)計理念,可適應(yīng)各種PCB的尺寸。此設(shè)計適用于任何尺寸的基片。
PlasmaSTAR®系統(tǒng)提供多個電極模塊,如LF(KHz)或13.56(MHz)的射頻電源以及自動匹配網(wǎng)絡(luò)。根據(jù)不同的等離子處理工藝選擇不同的電極模塊。
基本系統(tǒng)
PlasmaSTAR®通用基本系統(tǒng)包括必需的閥門、真空泵浦、射頻電源、射頻匹配器、工藝氣體控制和系統(tǒng)控制。這些配置組合提供了一套全自動化等離子處理系統(tǒng)。通用基本系統(tǒng)可容納不同的腔室和電極模塊,這些模塊可輕松放入其中。該系統(tǒng)可快速從一款普通的圓柱形等離子體處理系統(tǒng)轉(zhuǎn)換為一款用于反應(yīng)離子刻蝕(RIE)和平面處理的水冷平板電極系統(tǒng)或是帶支架的混合等離子清洗系統(tǒng)。
腔室/電極
PlasmaSTAR®模塊化腔室和電極組件是該系統(tǒng)的*功能。 腔室材料是硬質(zhì)陽極氧化鋁。 有幾種不同的電極設(shè)計,包括用于反應(yīng)離子刻蝕(RIE)和平面處理的水冷平板電極,用于表面清洗或處理的交替托盤電極,用于小化離子損傷的下游電極,和用于普通的圓柱形等離子體處理的籠式電極。
等離子體源
該系統(tǒng)可選配LF(KHz)或13.56(MHz)射頻電源以及自動匹配網(wǎng)絡(luò)。
真空泵浦系統(tǒng)
該系統(tǒng)配機械泵或帶羅茨鼓風機的機械泵。根據(jù)所需的真空處理水平,可提供不同尺寸大小的真空泵。真空泵配有腐蝕性泵油(惰性泵油),適用于氧氣或其他腐蝕性化學應(yīng)用。流量控制器(MFC)的氣體管路是標配。下游壓力控制器是選配。
電腦控制
觸摸屏電腦控制,提供無線程序存儲。多步驟工藝簡單易存。 實時顯示工藝條件。 該控制系統(tǒng)易于編程。 工藝處理可用條形碼讀?。ㄟx配)。
規(guī)格
PlasmaSTAR® 100的尺寸:800(寬)x 850(深)x 525(高)mm;重量:約150 Kg。
PlasmaSTAR® 200的尺寸:1,033(寬)x 850(深)x 635(高)mm;重量:約 220 Kg。
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