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原子層沉積系統(tǒng)

簡(jiǎn)要描述:原子層沉積(Atomic layer deposition)是一種可以將物質(zhì)以單原子膜形式一層一層的鍍?cè)诨妆砻娴姆椒?。原子層沉積與普通的化學(xué)沉積有相似之處。但在原子層沉積過(guò)程中,新一層原子膜的化學(xué)反應(yīng)是直接與之前一層相關(guān)聯(lián)的,這種方式使每次反應(yīng)只沉積一層原子。

  • 產(chǎn)品型號(hào):AT-600
  • 廠商性質(zhì):代理商
  • 更新時(shí)間:2024-05-16
  • 訪  問(wèn)  量:4652

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詳細(xì)介紹

應(yīng)用領(lǐng)域

原子層沉積技術(shù)由于其沉積參數(shù)的高度可控型(厚度,成份和結(jié)構(gòu)),優(yōu)異的沉積均勻性和*性使得其在微納電子和納米材料等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用潛力。該技術(shù)應(yīng)用的主要領(lǐng)域包括:

1 晶體管柵極介電層(high-k)和金屬柵電極(metal gate

2 微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS

3 光電子材料和器件

4 集成電路互連線擴(kuò)散阻擋層

5 平板顯示器(有機(jī)光發(fā)射二極管材料,OLED

6 互連線勢(shì)壘層

7 互連線銅電鍍沉積籽晶層(Seed layer

8 DRAM、MRAM介電層

9 嵌入式電容

10 電磁記錄磁頭

11 各類薄膜(<100nm

 

技術(shù)參數(shù):

基片尺寸:4英寸、6英寸;

加熱溫度:25~350℃;

溫度均勻性:±1℃;

前體溫度范圍:從室溫至150℃,±2℃;可選擇加熱套;

前驅(qū)體數(shù):一次同時(shí)可處理多達(dá) 5 個(gè) ALD 前體源;

PLC 控制系統(tǒng):7英寸16 位彩色觸摸屏HMI控制;

模擬壓力控制器:用于快速壓力檢測(cè)和脈沖監(jiān)測(cè)

樣品上載:將樣品夾具從邊上拉出即可;

壓力控制裝置:壓力控制范圍從0.1~1.5Torr

兩個(gè)氧化劑/還原劑源,如水,氧氣或氨氣;

在樣品上沒(méi)有大氣污染物,因?yàn)樵诔练e區(qū)的附近或上游處無(wú) Elestamor O 型圈出現(xiàn);

氧化鋁催化劑處理能力:6-10 /分鐘或高達(dá) 1.2 納米/ 分鐘(同類*)

高縱橫比沉積,具有良好的共形性

曝光控制,用于在 3D 結(jié)構(gòu)上實(shí)現(xiàn)所需的共形性;

預(yù)置有經(jīng)驗(yàn)證過(guò)的 3D 2D 沉積的優(yōu)化配方;

簡(jiǎn)單便捷的系統(tǒng)維護(hù)及安全聯(lián)鎖;

目前市面上占地zui小,可兼容各類潔凈室要求的系統(tǒng);

可以為非標(biāo)準(zhǔn)樣品而訂制的夾具,如 SEM / TEM 短截線

 

原子層沉積ALD的應(yīng)用包括:

1) High-K介電材料 (Al2O3, HfO2, ZrO2, PrAlO, Ta2O5, La2O3)

2)導(dǎo)電門電極 (Ir, Pt, Ru, TiN);

3)金屬互聯(lián)結(jié)構(gòu) (Cu, WN, TaN,Ru, Ir);

4)催化材料 (Pt, Ir, Co, TiO2, V2O5)

5)納米結(jié)構(gòu) (All ALD Material);

6)生物醫(yī)學(xué)涂層 (TiN, ZrN, TiAlN, AlTiN);

7) ALD金屬 (Ru, Pd, Ir, Pt, Rh, Co, Cu, Fe, Ni);

8)壓電層 (ZnO, AlN, ZnS);

9)透明電學(xué)導(dǎo)體 (ZnO:Al, ITO);

10)紫外阻擋層 (ZnO, TiO2);

11) OLED鈍化層 (Al2O3);

12)光子晶體 (ZnO, ZnS:Mn, TiO2, Ta3N5);

13)防反射濾光片 (Al2O3, ZnS, SnO2, Ta2O5);

14)電致發(fā)光器件 (SrS:Cu, ZnS:Mn, ZnS:Tb, SrS:Ce);

15)工藝層如蝕刻?hào)艡?、離子擴(kuò)散柵欄等 (Al2O3, ZrO2);

16)光學(xué)應(yīng)用如太陽(yáng)能電池、激光器、光學(xué)涂層、納米光子等 (AlTiO, SnO2, ZnO);

17)傳感器 (SnO2, Ta2O5);

18)磨損潤(rùn)滑劑、腐蝕阻擋層 (Al2O3, ZrO2, WS2)

 

目前可以沉積的材料包括:

1)氧化物: Al2O3, TiO2, Ta2O5, ZrO2, HfO2, SnO2, ZnO, La2O3, V2O5, SiO2,...

2)氮化物: AlN, TaNx, NbN, TiN, MoN, ZrN, HfN, GaN, ... 

3)氟化物: CaF2, SrF2, ZnF2, ...

4)金屬: Pt, Ru, Ir, Pd, Cu, Fe, Co, Ni, ... 

5)碳化物: TiC, NbC, TaC, ... 

6)復(fù)合結(jié)構(gòu)材料: AlTiNx, AlTiOx, AlHfOx, SiO2:Al, HfSiOx, ... 

7)硫化物: ZnS, SrS, CaS, PbS, ...

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