等離子去膠機進(jìn)行去膠操作十分的簡單,并且效率高,去膠后的表面干凈光潔、沒有任何的劃痕、成本低、環(huán)保。電介質(zhì)等離子體去膠機在進(jìn)行刻蝕時,一般會被應(yīng)用在電容耦合等離子體平行板反應(yīng)器上,在平行板反應(yīng)器中,反應(yīng)離子刻蝕腔體所采用的是陰極面積小,陽極面積大的不對稱設(shè)計,而需要被刻蝕的物件則是被放置到面積較小的電極之上。
在進(jìn)行刻蝕操作時,其射頻電源所產(chǎn)生的熱運動會使質(zhì)量小、運動速度快的帶負(fù)電自由電子很快到達(dá)陰極,而正離子則是由于質(zhì)量大、速度慢而很難在同一時刻達(dá)到陰極,從而就會在陰極附近形成帶負(fù)電的鞘層,正離子在這個鞘層的加速之下,就會垂直的轟擊在硅片的表面,從而使得表面的化學(xué)反應(yīng)加快,并且會使得反應(yīng)生成物脫離,因此其刻蝕速度極快,離子的轟擊也會使各向異性刻蝕得以實現(xiàn)。
等離子去膠操作方法:將待去膠片插入石英舟并平行氣流方向,推入真空室兩電極間,抽真空到1.3Pa,通入恰當(dāng)氧氣,堅持真空室壓力在1.3-13Pa,加高頻功率,在電極間發(fā)生淡紫色輝光放電,經(jīng)過調(diào)理功率、流量等技術(shù)參數(shù),可得不一樣去膠速率,當(dāng)膠膜去凈時,輝光不見。
等離子去膠機去膠影響要素:
1.頻率挑選:頻率越高,氧越易電離構(gòu)成等離子體。頻率太高,以致電子振幅比其平均自由程還短,則電子與氣體分子磕碰概率反而減少,使電離率降低。
2.功率影響:關(guān)于必定量的氣體,功率大,等離子體中的的活性粒子密度也大,去膠速度也快;但當(dāng)功率增大到必定值,反響所能耗費的活性離子到達(dá)飽滿,功率再大,去膠速度則無顯著添加。由于功率大,基片溫度高,所以應(yīng)根據(jù)技術(shù)需求調(diào)理功率。
3.真空度的挑選:恰當(dāng)進(jìn)步真空度,可使電子運動的平均自由程變大,因而從電場取得的能量就大,有利電離。別的當(dāng)氧氣流量必守時,真空度越高,則氧的相對份額就大,發(fā)生的活性粒子濃度也就大。但若真空度過高,活性粒子濃度反而會減小。
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