MicroChem光刻膠光刻前的清洗工藝是如何做到的

　　為了獲得更好的光刻效果，在進行光刻膠旋涂之前，需要對基材進行清洗。常用的清洗方法是利用濃硫酸及雙氧水的混合溶液浸泡，隨后用去離子水清洗并用氮氣吹干。除此之外還可以利用反應離子刻蝕或等離子表面清洗儀清洗。

　　MicroChem光刻膠光刻工藝：

　　將MicroChem光刻膠組分旋涂在基材上，旋涂厚度幾至幾百微米。涂覆晶片經過前烘并冷卻至室溫。在烘干過程中，優(yōu)先選擇加熱均勻且溫度控制的加熱板；不能使用鼓風干燥箱，防止因為光刻膠表面優(yōu)先固化從而阻止內層光刻膠溶劑的揮發(fā)。冷卻后，將負光掩模與涂覆晶片接觸并在汞燈的紫外輻射劑量10-250mJ/㎝²條件下進行曝光。曝光結束后，選擇合適的烘烤溫度及時間。將晶片在顯影液中浸漬顯影，隨后用氮氣吹干。

　　MicroChem光刻膠的優(yōu)點：

　　1、MicroChem光刻膠在近紫外光(365nm-400nm)范圍內光吸收度很低，且整個光刻膠層所獲得的曝光量均勻一致，可得到具有垂直側壁和高深寬比的厚膜圖形；

　　2、MicroChem光刻膠具有良好的力學性能、抗化學腐蝕性和熱穩(wěn)定性；

　　3、MicroChem光刻膠在受到紫外輻射后發(fā)生交聯(lián)，是一種化學擴大負性膠，可以形成臺階等結構復雜的圖形；

　　4、MicroChem光刻膠不導電，在電鍍時可以直接作為絕緣體使用。

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