應(yīng)用領(lǐng)域Harrick等離子清洗機應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，包括材料科學(xué)，聚合物科學(xué)，生物醫(yī)學(xué)，微流體技術(shù)，鈣鈦礦太陽能電池制備，光學(xué)器件，顯微鏡，牙科以及其他醫(yī)學(xué)研究等。離子表面改性表面改性的好處通過等離子處理來附著或吸附官能團(tuán)用以處理表面，改變特定應(yīng)用的表面性能。根據(jù)所使用的工藝氣體來定制引入官能團(tuán)，然后可以使用適當(dāng)?shù)臍怏w將表面潤濕性更改為親水性或疏水性。潤濕性的提高，通過改善表面的覆蓋范圍和涂層的延展性以及增強兩個表面之間的附著力，為后續(xù)處理（例如膜的沉積或分子吸附）做好準(zhǔn)備。等離...

EDC濕法顯影刻蝕系統(tǒng)光刻膠顯影（KrF/ArF）SU8厚膠顯影顯影后清洗PostCMP清洗光刻膠去除金屬Lift-off處理刻蝕微刻蝕處理新一代的旋轉(zhuǎn)噴淋式濕法處理機臺，不僅jinque控制試劑注射，還能夠大大節(jié)約試劑，綠色環(huán)保的濕法處理方案。頂蓋閥門控制技術(shù)顯影液注射頭的位置我們采用dujia的VoD頂蓋閥門控制技術(shù)，確保在基片中心位置垂直向下噴射，確保樣片表面的試劑受力均勻性。VS其他廠商提供的噴射裝置參考如下圖，是從圓弧頂蓋的不同角度傾斜噴射時，樣片收集到的試劑量不均...

據(jù)第三方機構(gòu)智研咨詢統(tǒng)計，至2022年quanqiu光刻膠市場規(guī)模將超過100億美元。光刻膠按應(yīng)用領(lǐng)域分類，可分為PCB光刻膠、顯示面板光刻膠、半導(dǎo)體光刻膠及其他光刻膠。quanqiu市場上不同種類光刻膠的市場結(jié)構(gòu)較為均衡，具體占比可以如下圖所示。據(jù)智研咨詢的數(shù)據(jù)顯示，受益于半導(dǎo)體、顯示面板、PCB產(chǎn)業(yè)東移的趨勢，2019年中國光刻膠市場本土企業(yè)銷售規(guī)模約70億元，quanqiu占比約10%，發(fā)展空間巨大。目前，中國本土光刻膠以PCB用光刻膠為主，平板顯示、半導(dǎo)體用光刻膠供應(yīng)...

等離子去膠機是我們在微波等離子處理工藝中的新產(chǎn)品。該批次式晶圓灰化設(shè)備成本低廉、尺寸適中，特別適用于工廠、科研院所等領(lǐng)域。等離子去膠機操作規(guī)程：1、自動切割小車應(yīng)經(jīng)空車運轉(zhuǎn)，并選定切割速度；2、使用釷、鎢電極應(yīng)符合JGJ33-2001第12.7.8條規(guī)定；3、高頻發(fā)生器應(yīng)設(shè)有屏蔽護(hù)罩，用高頻引弧后，應(yīng)立即切斷高頻電路；4、應(yīng)檢查并確認(rèn)電源、氣源、水源無漏電、漏氣、漏水，接地或接零安全可靠；5、操作人員應(yīng)站在上風(fēng)處操作?？蓮墓ぷ髋_下部抽風(fēng)，并宜縮小操作臺上的敞開面積；6、小車、...

等離子刻蝕機一般應(yīng)用于半導(dǎo)體加工領(lǐng)域，而等離子清洗機則一般應(yīng)用于材料領(lǐng)域。等離子清洗處理可改變材料的表面化學(xué)。因此能改變材料的表面性質(zhì)。例如，大氣或是氧氣等離子常用在聚合物(例如聚苯乙烯,聚乙烯)表面產(chǎn)生羥基。通常表面從疏水性(高水接觸角)改變至親水性（水接觸角小于30度），并增加表面潤濕性能。等離子處理也能改變其它材料的表面化學(xué)（表面性質(zhì)），如硅、不銹鋼及玻璃。用低溫等離子體在適宜的工藝條件下處理PE、PP、PVF2、LDPE等材料，材料的表面形態(tài)發(fā)生顯著的變化，引入了多種...

PDMS是一種有機聚合物材料，廣泛應(yīng)用微流控芯片實驗室。今天我們來介紹有關(guān)如何進(jìn)行PDMS光刻復(fù)制，也稱為軟光刻工藝，為您提供一些實驗中的小技巧，優(yōu)化您的實驗結(jié)果。01硅烷化模具的制備*使用模具時，必須使其疏水。SU-8模具中的硅通常具有很強的親水性，因此PDMS對它有良好的親和力，其強度足以使之無法剝離，只能將模具破壞并從頭開始實驗。這里我們使用硅烷功能，一旦在表面上yongjiu粘合，也可使接觸角超過90°，表面疏水。可以使用氣體或液體處理，即通過氣體或連續(xù)的液浴將硅烷功...

懸浮活性硅膜厚度測量，適用于MEMS微機電系統(tǒng)應(yīng)用，光斑尺寸為25um。簡介硅基底的傳感器因其高性能、低成本和小尺寸而廣泛應(yīng)用于不同的MEMS微機電系統(tǒng)。懸浮在圖案上的硅膜或基于SOI的傳感器上的活性硅層的厚度對于控制終平臺的性能至關(guān)重要[1]。在這里，我們已經(jīng)在一個MEMS微機電系統(tǒng)壓力傳感器上測量了硅薄膜厚度，使用的是孔徑為250μm的FR-μProbe，該工具安裝在一個徠卡分模光學(xué)顯微鏡上。使用10倍物鏡進(jìn)行測量，該物鏡與選定的孔徑大小一起對應(yīng)于25μm的光斑大小(測量...